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三菱IPM模塊PM50CSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50CSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM50RSD060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，PM50RSD060，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM50CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM50CTJ060-3
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM30RSF060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RSF060
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM30RMC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RMC060
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM30RHC060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30RHC060
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM30CNA060，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30CNA060
2024-01-19
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三菱IPM模塊PM30CTJ060-3，IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內部封裝一個IGBT)、D型(內部封裝兩個IGBT)、C型(內部封裝六個IGBT)和R型(內部封裝七個IGBT)。PM30CTJ060-3
2024-01-19
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