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Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司代理富士igbt模塊2MBI300N-120
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3478
北京京誠(chéng)宏泰科技有限公司代理富士IGBT模塊6MBI450U-170
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3555
代理富士6單元IGBT逆變模塊6MBI300U-120
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3311
北京京誠(chéng)宏泰科技原裝正品現(xiàn)貨銷(xiāo)售富士1單元IGBT模塊1MBI400N-120
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3696
FUJI富士IGBT模塊6MBI75S-120-50，N通道 IGBT 模塊 發(fā)射極-集電極、六（3x雙）, 100A 1200V,IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
3586
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
2024-01-19
經(jīng)銷(xiāo)商
4022
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
2023-12-25
經(jīng)銷(xiāo)商
4531
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小
2023-12-25
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