<code id="yguyg"></code>
  • <li id="yguyg"><dl id="yguyg"></dl></li>
    <li id="yguyg"></li>
    <li id="yguyg"><dl id="yguyg"></dl></li>
  • <li id="yguyg"><tbody id="yguyg"></tbody></li>

    歡迎來到北京京誠宏泰科技有限公司

    服務熱線:010-64824799

    產品展示/ Product display

    您的位置:首頁  /  產品展示  /  IGBT模塊  /  三菱IGBT模塊
    • igbt模塊CM200E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM200E3Y-12E

      CM200E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM200E3Y-12E。 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3115

    • igbt模塊CM150E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM150E3U-12E

      CM150E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM150E3U-12E。型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3103

    • igbt模塊CM150E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM150E3Y-12E

      CM150E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM150E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3482

    • igbt模塊CM100E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM100E3U-12E

      CM100E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM100E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3232

    • igbt模塊CM75E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM75E3U-12E

      CM75E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM75E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3268

    • igbt模塊CM75E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM75E3Y-12E

      CM75E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM75E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3430

    • igbt模塊CM75E3U-12E三菱igbt斬波模塊CM50E3U-12E

      CM75E3U-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM50E3U-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3233

    • igbt模塊CM50E3Y-12E三菱igbt斬波模塊CM50E3Y-12E

      CM50E3Y-12E北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨銷售三菱IGBT模塊CM50E3Y-12E IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,

      更新時間

      2024-01-19

      廠商性質

      經銷商

      瀏覽量

      3066

    共 96 條記錄,當前 7 / 12 頁  首頁  上一頁  下一頁  末頁  跳轉到第頁 

    C

    CODE
    掃碼加微信
    • 聯系電話:15010040708

    • 聯系郵箱:1316056746@qq.com

    • 公司地址:北京市朝陽區中東路398號

    Copyright © 2025 北京京誠宏泰科技有限公司版權所有   備案號:京ICP備13035189號-3   技術支持:智能制造網

    sitmap.xml   管理登陸

    TEL:15010040708

    掃碼加微信
    主站蜘蛛池模板: 新野县| 盘锦市| 南郑县| 宁明县| 云南省| 桃园市| 长乐市| 城步| 英德市| 通城县| 石景山区| 邯郸县| 彭山县| 德清县| 东莞市| 甘南县| 四川省| 汤原县| 若羌县| 家居| 澳门| 长宁区| 敦煌市| 绥中县| 上饶市| 南丹县| 平顺县| 汾西县| 丰镇市| 元氏县| 巫溪县| 正镶白旗| 当涂县| 洞头县| 如皋市| 沅江市| 建宁县| 纳雍县| 阿坝县| 京山县| 长寿区|