歡迎來到北京京誠宏泰科技有限公司！
服務(wù)熱線：010-64824799
歡迎來到北京京誠宏泰科技有限公司！
服務(wù)熱線：010-64824799
產(chǎn)品分類
Cassification
產(chǎn)品展示/ Product display
CM300DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM300DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3444
CM400DU-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3369
CM400DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM400DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3473
CM800DU-12H北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM800DU-12H IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3241
CM600DY-24NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM600DY-24NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
3708
CM600DY-12NF北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM600DY-12NF IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4047
CM40YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM40YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4162
CM50YE13-12F北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現(xiàn)貨銷售三菱IGBT模塊CM50YE13-12F IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，
2024-01-19
經(jīng)銷商
4047
C
CODE
聯(lián)系電話：15010040708
聯(lián)系郵箱：1316056746@qq.com
公司地址：北京市朝陽區(qū)中東路398號
Copyright © 2025 北京京誠宏泰科技有限公司版權(quán)所有 備案號：京ICP備13035189號-3 技術(shù)支持：智能制造網(wǎng)
相關(guān)文章
您的位置：