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    • FD800R33KF2英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C

      直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用,如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。

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    • FZ2400R12KE3英飛凌大功率IGBT模塊FZ2400R12KE3

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • FD400R16KF4英飛凌IGBT斬波模塊FD400R16KF4

      直流斬波器又稱為截波器,它是將電壓值固定的直流電,轉換為電壓值可變的直流電源裝置,是一種直流對直流的轉換器 已被廣泛使用,如直流電機的速度控制、交換式電源供應器(Switching-Power-Supply)等。

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    • FZ1200R16KF4_S1英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • FZ1000R12KF4英飛凌大功率IGBT模塊FZ1000R12KF4

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • FZ1800R16KF4代理英飛凌IGBT模塊FZ1800R16KF4

      IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

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    • FF600R17ME4英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4

      英飛凌IGBT模塊FF450R17ME4 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊 可控硅晶閘管 電容

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    • 英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4

      英飛凌IGBT模塊FF1400R17IP4 北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊 IPM模塊可控硅晶閘管 電容

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