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    產品展示
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		供應日立IGBT模塊41A296305ECP2
		 
     
		 
		 
     
		   
    供應日立IGBT模塊41A296305ECP2
    
			
    
			 
    型      號： MBN1200D25B
    			 
			 
    報     價： 9999 
    				
			
    
			
    
			   
    

    
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    供應日立IGBT模塊41A296305ECP2
    北京京誠宏泰科技
    ABB的 IGBT功率模塊為電壓從1700伏特至6500伏特的單一IGBT，雙/橋臂式IGBT，斬波和雙二極管模塊。大功率的HiPak IGBT模塊具備軟開關低損耗和高極限較寬的SOA兩大特點。
    
			
		
		
     
		
    
		
		
     
			   
    詳細資料：
     

    供應日立IGBT模塊41A296305ECP2
    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨供應日立IGBT模塊41A296305ECP2
    日立IGBT特點：
    • 耐熱疲勞耐量大
    • 快恢復開關和低損耗IGBT模塊
    • 通過高速軟恢復二極管減少噪音
    • 通過低輸入電容MOS門極實現低功率驅動
    • 可靠性高、耐久性高
    日立IGBT技術
    TrenchTrench Gate
    降低Vce（sat）
    LiPTLow Injection Punch Through
    減少開關損耗
    sLiPtSoft Low Injection Punch Through
    低噪音，降低峰值電壓
    HiGTHigh Conductivity IGBT
    降低Vce（sat）
    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1200
    • MBN1200E17D
      (PDF format, 293kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    1600
    • MBN1600E17D
      (PDF format, 594kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    1800
    • MBN1800E17DD
      (PDF format, 679kBytes)
      (2013/03/01)
    		Soft diodeM 
    2400
    • MBN2400E17D
      (PDF format, 282kBytes)
      (2014/08/07)
    		 M 
    2in1 IGBT600
    • MBM600E17D
      (PDF format, 512kBytes)
      (2012/8/28)
    		 M
    • 2in1 Application Note
      (PDF format, 248kBytes)
    1200
    • MBM1200E17D
      (PDF format, 589kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M
    • 2in1 Application Note
      (PDF format, 248kBytes)
    600
    • MBM600F17D
      (PDF format, 1.02MBytes)
      (2013/03/01)
    		Direct liquid coolM
    • technical paper
      (PDF format, 163kBytes)*2
    • 2in1 Application Note
      (PDF format, 248kBytes)
    Chopper1200
    • MBL1200E17D
      (PDF format, 325kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    2in1
    Diode    		900
    • MDM900E17D
      (PDF format, 301kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    1200
    • MDM1200E17D
      (PDF format, 305kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    *1北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    *2
    The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference2010.
    1700V E-Version
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1200
    • MBN1200E17E
      (PDF format, 679kBytes)
    		 M 
    1800
    • MBN1800E17E
      (PDF format, 827kBytes)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    1700V F-Version
    • Advanced Trench HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    • Low spike voltage
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1600
    • MBN1600E17F
      (PDF format，459kBytes)
      (2015/3/10)
    		 M
    • technical paper
      (PDF format, 382kBytes)*2
    2400
    • MBN2400E17F
      (PDF format, 436kBytes)
      (2012/11/30)
    		 W
    • technical paper
      (PDF format, 382kBytes)*2
    3600
    • MBN3600E17F
      (PDF format, 408kBytes)
      (2015/3/10)
    		 M
    • technical paper
      (PDF format, 382kBytes)*2
    2in1 IGBT800
    • MBM800E17F
      (PDF format，338kBytes)
      (2015/10/09)
    		 W
    • technical paper
      (PDF format, 382kBytes)*2
    • 2in1 Application Note
      (PDF format, 248kBytes)
    1200
    • MBM1200E17F
      (PDF format，771kBytes)
      (2015/07/29)
    		 M
    • technical paper
      (PDF format, 382kBytes)*2
    • 2in1 Application Note
      (PDF format, 248kBytes)
    Chopper1200
    • MBL1200E17F
      (PDF format，768kBytes)
      (2015/10/09)
    		 M
    • technical paper
      (PDF format，382kBytes)*2
    1600
    • MBL1600E17F
      (PDF format，618kBytes)
      (2015/10/09)
    		 M
    • technical paper
      (PDF format，382kBytes)*2
    •  
    MBN1200E25C 北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品現貨
    3300V A-Version
    • Standard 2nd Generation
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1
    Diode    		1200
    • MDN1200D33
      (PDF形式, 170kBytes)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    3300V C-Version
    • Standard 3rd generation Planer IGBT
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1200
    • MBN1200E33C
      (PDF形式, 390kBytes)
    		 M 
    Chopper800
    • MBL800E33C
      (PDF形式, 504kBytes)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    3300V D-Version
    • Planer IGBT - LiPT
    • Low switching loss
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT800
    • MBN800E33D
      (PDF形式, 409kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    800
    • MBN800E33D-AX
      (PDF形式, 316kBytes)
      (2013/07/01)
    • Low recovery loss
    • For high frequency application
    		M 
    1200
    • MBN1200E33D
      (PDF形式, 277kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    1200
    • MBN1200H33D
      (PDF形式, 335kBytes)
      (2013/03/01)
    • High isolation package
    		M 
    2in1 IGBT400
    • MBM400E33D-MFR
      (PDF形式，702kBytes) (2015/10/09)
    • Ultra low switching loss and recovery loss
    • For high frequency application
    		M
    • technical paper *2
      (PDF形式、724kBytes)
    • 2in1 Application Note
      (PDF形式、248kBytes)
    Chopper400
    • MBL400E33D
      (PDF形式, 695kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    800
    • MBL800E33D
      (PDF形式, 701kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    2in1
    Diode    		800
    • MDM800E33D
      (PDF形式, 185kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    1200
    • MDM1200E33D
      (PDF形式, 224kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    *2
    The first publication of the papers was at PCIM Europe Conference 2012.
    3300V E-Version
    • Planer HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT800
    • MBN800E33E
      (PDF形式, 591kBytes)
      (2012/11/30)
    		 M 
    1200
    • MBN1200E33E
      (PDF形式，468kBytes)
      (2015/03/10)
    		 M 
    Chopper800
    • MBL800E33E
      (PDF形式, 443kBytes)
      (2013/03/01)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    3300V E2-Version
    • Fine Planer HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1000
    • MBN1000E33E2
      (PDF形式, 286kBytes)
      (2013/07/01)
    		 M 
    1500
    • MBN1500E33E2
      (PDF形式, 353kBytes)
      (2013/07/01)
    		 M 
    2in1 IGBT500
    • MBM500E33E2-R
      (PDF形式, 559kBytes)
      (2014/08/07)
    		 M
    • 2in1 Application Note
      (PDF形式, 248kBytes)
    Chopper1000
    • MBL1000E33E2-B
      (PDF形式, 227kBytes)
      (2012/11/30)
    		 M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    3300V E3-Version
    • Fine Planer HiGT - sLiPT
    • Soft switching
    • Low spike voltage
    • For large Ls circuit, series connection
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1500
    • MBN1500E33E3
      (PDF形式, 371kBytes)
      (2013/07/01)
    		 M 
    2in1 IGBT250
    • MBM250H33E3
      (PDF形式, 502kBytes)
      (2015/07/29)
    • High isolation package
    		M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    3300V F-Version
    • Advanced Trench HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • High current rating
    • RoHS compliance
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT1200
    • MBN1200F33F
      (PDF形式，698kBytes)
      (2015/05/15)
    		 M
    • technical paper
      (PDF形式, 388kBytes)*2
    1800
    • MBN1800F33F
      (PDF形式，661kBytes)
      (2015/05/15)
    		 M
    • technical paper
      (PDF形式, 724kBytes)*3
    •  
    4500V D-Version
    • Planer IGBT - LiPT
    • Low switching loss
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT600
    • MBN600E45A
      (PDF形式, 290kBytes)
    		 M 
    900
    • MBN900D45A
      (PDF形式, 298kBytes)
    		 M 
    2in1
    Diode    		600
    • MDM600E45A
      (PDF形式, 198kBytes)
    		 M 
    900
    • MDM900E45A
      (PDF形式, 158kBytes)
    		 D 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    4500V E2-Version
    • Fine Planer HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT800
    • MBN800H45E2
      (PDF形式，468kBytes)
      (2015/05/15)
    • High isolation package
    		M 
    1200
    • MBN1200H45E2
      (PDF形式，543kBytes) (2015/03/10)
    • High isolation package
    		M 
    2in1
    Diode    		800
    • MDM800H45E2
      (PDF形式，425kBytes) (2015/10/09)
    • High isolation package
    		M 
    1200
    • MDM1200H45E2
      (PDF形式, 291kBytes) (2013/07/01)
    • High isolation package
    		M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    4500V E2-H-Version
    • Fine Planer HiGT - sLiPT
    • Low switching loss
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT800
    • MBN800H45E2-H
      (PDF形式，477kBytes) (2015/05/15)
    • High isolation package
    		M 
    1200
    • MBN1200H45E2-H
      (PDF形式，577kBytes) (2015/03/10)
    • High isolation package
    		M 
    2in1 IGBT200
    • MBM200H45E2-H
      (PDF形式，528kBytes) (2015/03/10)
    • High isolation package
    		M 
    2in1
    Diode    		800
    • MDM800H45E2-H
      (PDF形式，252kBytes) (2013/07/01)
    • High isolation package
    		W 
    1200
    • MDM1200H45E2-H
      (PDF形式，227kBytes) (2015/03/10)
    • High isolation package
    		M 
    *1
    M:Mass production, W:Working sample, D:Discontinued
    4500V F-Version
    • Advanced Trench HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • High current rating
    • RoHS compliance
    PackageIC(A)FeatureApplication Note
    1in1
    IGBT    		1000
    • High isolation package
    • technical paper*2
      (PDF形式, 1400kBytes)
    1500
     
     
    6500V E2-Version
    • Fine Planer HiGT - sLiPT
    • Low VCE(sat)
    • Soft switching
    PackageIC(A)Type Name
    (Update)    		FeatureStatus*1Application Note
    1in1 IGBT500
    • MBN500H65E2
      (PDF形式, 336kBytes)
      (2013/07/01)
    • High isolation package
    		M 
    750
    • MBN750H65E2
      (PDF形式，430kBytes)
      (2015/03/10)
    • High isolation package
    		M 
    2in1
    Diode    		500
    • MDM500H65E2
      (PDF形式, 255kBytes)
      (2013/07/01)
    • High isolation package
    		M 
    750
    • MDM750H65E2
      (PDF形式, 250kBytes)
      (2013/07/01)
    • High isolation package
    		M 

     
			
     
			
			
    
			



    

    
	
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                請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7
            
      
		
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