富士IGBT功率模塊7BMR20SC060，北京京誠宏泰科技有限公司銷售7BMR20SC060。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，

7BMR20SC060 7BMR30SC060富士IGBT功率模塊7BMR20SC060

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富士IGBT；富士IPM；富士IGBT-PIM；富士變頻器模塊

富士二極管；富士整流橋；富士可控硅；富士場效應

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7MBR150VN120-50

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富士IPM（逆變+驅(qū)動+保護）：
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