CM200DU-24H三菱IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

留言框

• 產品：

• 您的單位：

• 您的姓名：

• 聯系電話：

• 常用郵箱：

• 省份：

  請選擇您所在的省份 安徽 北京 福建 甘肅 廣東 廣西 貴州 海南 河北 河南 黑龍江 湖北 湖南 吉林 江蘇 江西 遼寧 內蒙古 寧夏 青海 山東 山西 陜西 上海 四川 天津 新疆 西藏 云南 浙江 重慶 香港 澳門 中國臺灣 國外

• 詳細地址：

• 補充說明：

• 驗證碼：

  

  請輸入計算結果（填寫阿拉伯數字），如：三加四=7