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    三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

    三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

    型    號: CM600YE2P-12F
    報    價: 1888
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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

    詳細資料:

    北京京誠宏泰科技有限公司原裝正品銷售 安川G7 變頻器IGBT

    塊,MITSUBISHI三菱IGBT模塊CM600YE2P-12F/CM600YE2N-12F

    600A 600V

    CM600YE2P-12F / CM600YE2N-12F

    CM400YE2P-12F / CM400YE2N-12F

    CM300YE2P-12F / CM300YE2N-12F


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