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    英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

    英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

    型    號: FF400R07KE4
    報    價: 888
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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

    詳細資料:

    北京京誠宏泰科技原裝正品現貨銷售英飛凌IGBT模塊FF400R07KE4

     

    集電極—射極擊穿電壓: 650 V

    集電極—射極飽和電壓: 1.95 V

    集電極zui大連續電流 Ic: 400 A

    柵極—射極漏泄電流: 400 nA

    典型應用
    大功率變流器
    電機傳動

    UPS系統
    電氣特性
    增加阻斷電壓至
    650V
    提高工作結溫Tvjop
    高短路能力,自限制短路電流

    FF150R12KS4_B2
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    FF150R12KT3G
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    FF150R12ME3G
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    FF300R12ME4
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    FF450R12ME4_B11
    FF450R12ME4
    FF450R12IE4


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