IPM由高速、低功率的IGBT芯片和優選的門級驅動及保護電路構成，其中，IGBT是GTR和MOSFET的復合，由MOSFET驅動GTR，因而IGBT具有兩者的優點。IPM根據內部功率電路配置的不同可分為四類:H型（內部封裝一個IGBT）、D型（內部封裝兩個IGBT）、C型（內部封裝六個IGBT）和R型（內部封裝七個IGBT）。小功率的IPM使用多層環氧絕緣系統，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣。

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