英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K

型號：	FD800R33KF2C-K
報價：	9999

分享到：

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小

咨詢訂購

詳細資料：

英飛凌IGBT斬波模塊FD800R33KF2C-K IHM-A module

VCES = 3300V
IC nom = 800A / ICRM = 1600A

TypicalApplications
ChopperApplications
TractionDrives

MechanicalFeatures
AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling
Capability

德國英飛凌（EUPEC）斬波電路IGBT
DF300R12KE3	FD200R12KE3	FD300R12KE3	FD400R12KF4
FD400R16KF4	FD400R17KF6-B2	FD400R33KF1	FD400R33KF2C
FD400R65KF1-K	FD600R12KF4	FD600R17KF6-B2	FD600R17KF6
FD800R17KF6-B2	FD800R33KF1	F4-300R12KF4	F4-400R12KF4
F4-400R12KS4-B2	FD800R33KF2	F4-150R06KL4