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    富士IGBT模塊2MBI300N-060

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小

    • 產(chǎn)品型號(hào):2MBI300N-060
    • 廠商性質(zhì):經(jīng)銷商
    • 更新時(shí)間:2023-12-25
    • 訪  問(wèn)  量:4529
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    日本富士 IGBT 2單元600V系列:
    2MBI50L-0602MBI75L-0602MBI100L-0602MBI150L-060
    2MBI50F-0602MBI75F-0602MBI100F-0602MBI150F-060
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    2MBI150J-0602MBI150LB-0602MBI150KB-0602MBI150NK-060
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    日本富士 IGBT 2單元1200V系列:
    2MBI25L-1202MBI50L-1202MBI75L-1202MBI100L-120
    2MBI25N-1202MBI50N-1202MBI75N-1202MBI100N-120
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    2MBI150NB-1202MBI150NE-1202MBI150NT-1202MBI150UB-120
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    2MBI300S-1202MBI300NT-1202MBI150U4B-1202MBI200U4B-120
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    日本富士 IGBT 2單元1400V系列:
    2MBI50P-1402MBI75P-1402MBI100PC-1402MBI150PC-140
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