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    英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    英飛凌IGBT模塊FZ1200R16KF4_S1

    型    號: FZ1200R16KF4_S1
    報    價: 9999
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    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小

    詳細資料:

    德國英飛凌1單元IGBT 系列:
    FZ200R12KF2FZ200R65KF1FZ400R65KF1FZ400R17KE3
    FZ300R12KF2FZ400R12KF2FZ400R12KS4FZ400R12KE3
    FZ500R12KL4CFZ600R12KE3FZ600R17KE3FZ800R12KE3
    FZ600R12KS4FZ800R12KF4FZ800R16KF4FZ800R33KF1
    FZ900R12KF5FZ900R16KF1FZ1000R12KF4FZ1000R12KF5
    FZ1000R25KF1FZ1050R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF5
    FZ1200R12KL4CFZ1200R16KF4-S1FZ1200R25KF1FZ1200R33KF1
    FZ800R12KS4FZ800R33KF2FZ1200R25KF4FZ1200R33KF2
    FZ1200R33KF1FZ1600R12KF4FZ1600R17KF6CFZ1800R12KF4
    FZ1500R25KF1FZ1800R16KF4FZ2400R12KF4FZ2400R17KF6B
    FZ3600R12KE3FZ3600R17KE3FZ600R65KF1FZ1200R12KE3
    FZ1600R12KE3FZ2400R12KE3FZ2400R12KL4CFZ1600R12KL4C

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